Electronic & Opto-electronic Devices26841
- Centre
- Faculty of Science and Technology
- Degree
- Bachelor's Degree in Electronic Engineering
- Academic course
- 2024/25
- Academic year
- 3
- No. of credits
- 6
- Languages
- Spanish
- Basque
- Code
- 26841
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Description and Contextualization of the SubjectToggle Navigation
La asignatura Dispositivos Electrónicos y Optoelectrónicos es una asignatura obligatoria de 3º curso del Grado en Ingeniería Electrónica, dentro del módulo M03: “Fundamentos de la Ingeniería Electrónica”. Esta asignatura es además materia de 4º curso del Doble Grado en Física y en Ingeniería Electrónica.
Esta materia requiere el conocimiento de los principios fundamentales de operación de los dispositivos electrónicos y de sus modelos circuitales, así como su utilización en circuitos electrónicos básicos.
La asignatura está centrada en el estudio de la estructura, modos de operación y modelos físicos de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos a partir de las características de los materiales semiconductores.
Sus contenidos tienen una importante relación con las siguientes asignaturas del Grado en Ingeniería Electrónica: Electrónica, Microelectrónica y Microsistemas.
La asignatura Dispositivos Electrónicos y Optoelectrónicos contribuye a la formación en los fundamentos de la electrónica, aportando la base para acceder a perfiles profesionales de compañías del sector de las Tecnologías de la Información y de la Comunicación.
Skills/Learning outcomes of the subjectToggle Navigation
El objeto de la asignatura es el estudio de los dispositivos semiconductores utilizados en aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas. Se tratan los fundamentos físicos de los dispositivos más importantes y se extraen sus modelos eléctricos equivalentes, utilizados para el análisis y diseño de circuitos.
Theoretical and practical contentToggle Navigation
Programa
1- Fundamentos de física de semiconductores
Propiedades electrónicas de los semiconductores (estructura de bandas, mecanismos de transporte,¿). Ecuaciones de continuidad. Estructuras elementales: uniones, heterouniones y estructuras (introducción al nivel de diagrama de bandas de energía). Ruido en dispositivos a semiconductor. Propiedades ópticas
2- Introducción a la fabricación microelectrónica
3- Diodos
Unión PN y diodo de unión PN. Unión metal-semiconductor y diodo Schottky. Modelo ideal, características I-V, limitaciones, modelo de pequeña señal, conmutación.
4- Transistores bipolares
El transistor bipolar de unión (BJT): estructura, principio básico, modos de operación, factores de ganancia, modelos ideales, características I-V, efectos no ideales, modelo de Ebers-Moll, modelo de pequeña señal, conmutación. El transistor bipolar de heterounión (HBT).
5- Transistores a efecto campo
La estructura MOS. Transistor de efecto de campo MOSFET: funcionamiento, modos de operación, características I-V, polarización del sustrato, modelo ideal, efectos no ideales, modelo de pequeña señal. Transistores a efecto campo MESFET y HEMT
6- Dispositivos optoelectrónicos
Fotodetectores: Fotodiodos, células solares. Fotoemisores: Diodo electroluminiscente (LED), Láser a semiconductor.
Bibliografía obligatoria
*
Bibliografía básica
* FALTA
Bibliografía de profundización
* FALTA
Revistas
*
Direcciones de Internet
*
MethodologyToggle Navigation
La asignatura se imparte en clases magistrales, clases prácticas en aula para la resolución de problemas propuestos en guías y seminarios.
El material docente se pondrá a disposición del alumno en la web del Campus Virtual de la UPV/EHU a través de la plataforma Moodle.
Assessment systemsToggle Navigation
- Continuous Assessment System
- Final Assessment System
- Tools and qualification percentages:
- Written test to be taken (%): 90
- Realization of Practical Work (exercises, cases or problems) (%): 10
Ordinary Call: Orientations and DisclaimerToggle Navigation
La evaluación de la asignatura se distribuye como sigue :
5% Trabajos y ejercicios entregables : resolución de ejercicios tanto en clase y entrega de ejercicios resueltos manuscritos
20% Pruebas de clase : dos controles (10% cada uno) distribuidos a lo largo del curso y realizados en hora de clase, alrededor de la primera semana de noviembre y la primera de diciembre
5% Informes : entrega de resúmenes de temas completos o apartados de temas
70% Examen final
- Examen escrito a desarrollar consistente en la resolución de ejercicios y/o problemas y cuestiones teóricas.
- Constará de dos partes, cada una con una duración no superior a dos horas.
- No se permitirá utilizar libros, apuntes u otro tipo de información relacionada con la asignatura,
salvo la aportada por el profesor el día del examen.
- Se realizará con tinta azul o negra, no con lápiz.
- Será necesario disponer de calculadora, lápiz y regla.
- En caso de que no se realicen trabajos de problemas, controles o resúmenes durante el curso,
el porcentaje de evaluación correspondiente se acumulará en el examen final.
Extraordinary Call: Orientations and DisclaimerToggle Navigation
Criterios y porcentajes de evaluación en la convocatoria ordinaria:
- 5% Trabajos y ejercicios entregables: resolución de ejercicios en clase y entrega de ejercicios resueltos manuscritos
- 20% Pruebas escritas de clase: dos controles (10% cada uno) distribuidos a lo largo del curso y realizados en hora de clase
- 5% Informes: entrega de resúmenes de temas o cuestiones relacionadas
- 70% Examen final
Las pruebas escritas, pruebas de clase y examen final, consistirán en la resolución de ejercicios y/o problemas y cuestiones teóricas. No se permitirá utilizar libros, apuntes u otro tipo de información relacionada con la asignatura, salvo la aportada por el profesor el día de la prueba.
A aquellos alumnos que no hayan entregado los trabajos y ejercicios propuestos por el profesor durante el curso se les podrá solicitar que presenten estos trabajos para aprobar la asignatura.
Para renunciar a la convocatoria ordinaria será suficiente con no presentarse a la prueba final.
Compulsory materialsToggle Navigation
Página WEB de la asignatura en el gestor de aulas virtuales eGela.
BibliographyToggle Navigation
Basic bibliography
* S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, New York 1981.
* K. Kano, Semiconductor Devices, Prentice-Hall, New Jersey, 1998.
* D. A. Neamen, Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, Mc.Graw-Hill, New York, 2003.
Temas selectos de ingeniería, Addison-Wesley Iberoamericana, 1994 :
* R.F. Pierret, Fundamentos de Semiconductores.
* G.W. Neudeck, El Diodo PN de Unión.
* G.W. Neudeck, El Transistor Bipolar de Unión.
* R.F. Pierret, Dispositivos de Efecto de Campo,
In-depth bibliography
* S.M. Sze, Modern Semiconductor Device Physics, John Wiley & Sons, New York 1997.
Web addresses
* Europractice: http://www.europractice.com/
* The Semiconductor Applet Service: http://jas.eng.buffalo.edu/
* WebElements: the periodic table on the web: http://www.webelements.com/
* NSM Archive - Physical Properties of Semiconductors: http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/
* Computer History Museum, The Silicon Engine: http://www.computerhistory.org/semiconductor/
GroupsToggle Navigation
01 Teórico (Spanish - Mañana)Show/hide subpages
Weeks | Monday | Tuesday | Wednesday | Thursday | Friday |
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1-15 | 10:30-11:30 (1) | 10:30-11:30 (2) | 10:30-11:30 (3) |
01 Seminar-1 (Spanish - Mañana)Show/hide subpages
Weeks | Monday | Tuesday | Wednesday | Thursday | Friday |
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1-15 | 10:30-11:30 (1) |
01 Applied classroom-based groups-1 (Spanish - Mañana)Show/hide subpages
Weeks | Monday | Tuesday | Wednesday | Thursday | Friday |
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1-15 | 08:30-09:30 (1) |
31 Teórico (Basque - Mañana)Show/hide subpages
Weeks | Monday | Tuesday | Wednesday | Thursday | Friday |
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1-15 | 10:30-11:30 (1) | 10:30-11:30 (2) | 10:30-11:30 (3) |
31 Seminar-1 (Basque - Mañana)Show/hide subpages
Weeks | Monday | Tuesday | Wednesday | Thursday | Friday |
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1-15 | 10:30-11:30 (1) |
31 Applied classroom-based groups-1 (Basque - Mañana)Show/hide subpages
Weeks | Monday | Tuesday | Wednesday | Thursday | Friday |
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1-15 | 08:30-09:30 (1) |