XSL Content
Electronic & Opto-electronic Devices
- Centre
- Faculty of Science and Technology
- Degree
- Bachelor's Degree in Electronic Engineering
- Academic course
- 2023/24
- Academic year
- 3
- No. of credits
- 6
- Languages
- Spanish
- Basque
TeachingToggle Navigation
Study type | Hours of face-to-face teaching | Hours of non classroom-based work by the student |
---|---|---|
Lecture-based | 40 | 60 |
Seminar | 5 | 7.5 |
Applied classroom-based groups | 15 | 22.5 |
Teaching guideToggle Navigation
AimsToggle Navigation
El objeto de la asignatura es el estudio de los dispositivos semiconductores utilizados en aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas. Se tratan los fundamentos físicos de los dispositivos más importantes y se extraen sus modelos eléctricos equivalentes, utilizados para el análisis y diseño de circuitos.
TemaryToggle Navigation
Programa
1- Fundamentos de física de semiconductores
Propiedades electrónicas de los semiconductores (estructura de bandas, mecanismos de transporte,¿). Ecuaciones de continuidad. Estructuras elementales: uniones, heterouniones y estructuras (introducción al nivel de diagrama de bandas de energía). Ruido en dispositivos a semiconductor. Propiedades ópticas
2- Introducción a la fabricación microelectrónica
3- Diodos
Unión PN y diodo de unión PN. Unión metal-semiconductor y diodo Schottky. Modelo ideal, características I-V, limitaciones, modelo de pequeña señal, conmutación.
4- Transistores bipolares
El transistor bipolar de unión (BJT): estructura, principio básico, modos de operación, factores de ganancia, modelos ideales, características I-V, efectos no ideales, modelo de Ebers-Moll, modelo de pequeña señal, conmutación. El transistor bipolar de heterounión (HBT).
5- Transistores a efecto campo
La estructura MOS. Transistor de efecto de campo MOSFET: funcionamiento, modos de operación, características I-V, polarización del sustrato, modelo ideal, efectos no ideales, modelo de pequeña señal. Transistores a efecto campo MESFET y HEMT
6- Dispositivos optoelectrónicos
Fotodetectores: Fotodiodos, células solares. Fotoemisores: Diodo electroluminiscente (LED), Láser a semiconductor.
Bibliografía obligatoria
*
Bibliografía básica
* FALTA
Bibliografía de profundización
* FALTA
Revistas
*
Direcciones de Internet
*
MethodologyToggle Navigation
La asignatura se imparte en clases magistrales, clases prácticas en aula para la resolución de problemas propuestos en guías y seminarios.
El material docente se pondrá a disposición del alumno en la web del Campus Virtual de la UPV/EHU a través de la plataforma Moodle.
Assessment systemsToggle Navigation
La evaluación de la asignatura se distribuye como sigue :
5% Trabajos y ejercicios entregables : resolución de ejercicios tanto en clase y entrega de ejercicios resueltos manuscritos
20% Pruebas de clase : dos controles (10% cada uno) distribuidos a lo largo del curso y realizados en hora de clase, alrededor de la primera semana de noviembre y la primera de diciembre
5% Informes : entrega de resúmenes de temas completos o apartados de temas
70% Examen final
- Examen escrito a desarrollar consistente en la resolución de ejercicios y/o problemas y cuestiones teóricas.
- Constará de dos partes, cada una con una duración no superior a dos horas.
- No se permitirá utilizar libros, apuntes u otro tipo de información relacionada con la asignatura,
salvo la aportada por el profesor el día del examen.
- Se realizará con tinta azul o negra, no con lápiz.
- Será necesario disponer de calculadora, lápiz y regla.
- En caso de que no se realicen trabajos de problemas, controles o resúmenes durante el curso,
el porcentaje de evaluación correspondiente se acumulará en el examen final.
Compulsory materialsToggle Navigation
Página WEB de la asignatura en el gestor de aulas virtuales eGela.
BibliographyToggle Navigation
Basic bibliography
* S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, New York 1981.
* K. Kano, Semiconductor Devices, Prentice-Hall, New Jersey, 1998.
* D. A. Neamen, Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, Mc.Graw-Hill, New York, 2003.
Temas selectos de ingeniería, Addison-Wesley Iberoamericana, 1994 :
* R.F. Pierret, Fundamentos de Semiconductores.
* G.W. Neudeck, El Diodo PN de Unión.
* G.W. Neudeck, El Transistor Bipolar de Unión.
* R.F. Pierret, Dispositivos de Efecto de Campo,
In-depth bibliography
* S.M. Sze, Modern Semiconductor Device Physics, John Wiley & Sons, New York 1997.
Examining board of the 5th, 6th and exceptional callToggle Navigation
- COLLANTES METOLA, JUAN MARIA
- SAGASTABEITIA BURUAGA, IBON
- VARONA FERNANDEZ, MARIA AMPARO
GroupsToggle Navigation
01 Teórico (Spanish - Mañana)Show/hide subpages
Weeks | Monday | Tuesday | Wednesday | Thursday | Friday |
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1-15 | 10:30-11:30 | 10:30-11:30 | 10:30-11:30 |
01 Seminar-1 (Spanish - Mañana)Show/hide subpages
Weeks | Monday | Tuesday | Wednesday | Thursday | Friday |
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1-15 | 10:30-11:30 |
01 Applied classroom-based groups-1 (Spanish - Mañana)Show/hide subpages
Weeks | Monday | Tuesday | Wednesday | Thursday | Friday |
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1-15 | 12:00-13:00 |
31 Teórico (Basque - Mañana)Show/hide subpages
Weeks | Monday | Tuesday | Wednesday | Thursday | Friday |
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1-15 | 10:30-11:30 | 10:30-11:30 | 10:30-11:30 |
31 Seminar-1 (Basque - Mañana)Show/hide subpages
Weeks | Monday | Tuesday | Wednesday | Thursday | Friday |
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1-15 | 10:30-11:30 |
31 Applied classroom-based groups-1 (Basque - Mañana)Show/hide subpages
Weeks | Monday | Tuesday | Wednesday | Thursday | Friday |
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1-15 | 08:30-09:30 |