PBL 2: Band-Gap Handiko Gailuen Ebaluazioa: SiC eta GaN eta Potentzia-bihurgailu baten Diseinua
Gaiari buruzko datu orokorrak
- Modalitatea
- Bietakoa
- Hizkuntza
- Gaztelania
Irakasleak
| Izena | Erakundea |
|---|---|
| AZKONA ESTEFANIA, NEKANE | Euskal Herriko Unibertsitatea |
| CERECEDA MORIS, ENEKO | Euskal Herriko Unibertsitatea |
| FANO LESTON, VANESA | Euskal Herriko Unibertsitatea |
| GIL-GARCIA LEIVA, JOSE MIGUEL | Euskal Herriko Unibertsitatea |
| GONZALEZ PEREZ, JOSE MANUEL | Euskal Herriko Unibertsitatea |
| GUTIERREZ SERRANO, JOSE RUBEN | Euskal Herriko Unibertsitatea |
| JIMENO CUESTA, JUAN CARLOS | Euskal Herriko Unibertsitatea |
| ORTEGA MARTIN, ENEKO | Euskal Herriko Unibertsitatea |
| OTAEGI AIZPEOLEA, ALOÑA | Euskal Herriko Unibertsitatea |
| RECART BARAÑANO, FEDERICO | Euskal Herriko Unibertsitatea |
| RODRIGUEZ CUESTA, MARIA VELIA | Euskal Herriko Unibertsitatea |
| SANCHEZ RUIZ, ALAIN | Euskal Herriko Unibertsitatea |
Gaitasunak
Competencia para evaluar el comportamiento eléctrico de dispositivos semiconductores y de sus precursores no encapsulados.Competencia para detectar los límites de funcionamiento de un dispositivo y su relación con sus condiciones de trabajo, temperatura, nivel de excitación eléctrica o luminosa.Competencia para discernir entre diferentes defectos en un semiconductor y encontrar su correspondencia con su comportamiento eléctrico.Competencia para modelar el efecto de los defectos en el comportamiento eléctrico de los dispositivos.Interpretar, describir y seleccionar la topología de convertidor adecuada a la aplicación.Analizar, seleccionar y caracterizar el semiconductor adecuado a la aplicación.Analizar, seleccionar y diseñar el elemento pasivo adecuado a la aplicación.Diseñar y programar el hardware digital adecuado a la aplicación.Ikasgai-zerrenda eta bibliografia
- Visitas a Ingeteam, Fagor Electrónica y Semi-Zabala para definición de estructuras a caracterizar
- Estimación de los parámetros internos de dispositivos
- Técnicas de localización de las regiones de disrupción o de los parámetros críticos (bordes, esquinas, defectos¿)
- Evaluación de los parámetros con degradaciones controladas (radiación) de los dispositivos
- Diseño de topología
- Caracterización y selección de semiconductores
- Caracterización y selección de pasivos
- Diseño de controlador digital
- Evaluación y caracterización de dispositivos y diseño de un convertidor de potencia. Al modo de los PBL puede dividirse en subproyectos o realizarse varios proyectos semejantes, pero no iguales por grupos de estudiantes. Por ejemplo, trabajando cada subgrupo con un sensor distinto bajo la supervisión de un docente.
Bibliografia:Avalanche breakdown voltages of abrupt and linearly graded p¿n junctions IN Ge, Si, GaAs, and GaP
Bibliografia:SM Sze, GI Gibbons - Applied Physics Letters, 1966
Bibliografia:Fundamentals of power semiconductor devices BJ Baliga - 2010
Bibliografia:Fundamentals of power semiconductor devices BJ Baliga - 2010
Bibliografia:Daniel W. Hart.: ¿Electrónica de Potencia¿ Ed Prentice hall. 2001
Bibliografia:S. M. Sze K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.), John Wiley & Sons, 2007.
Bibliografia:RF Circuit Design, Christopher Bowick, 2nd Edition, Newnes-Elsevier 2008
Bibliografia:https://randomnerdtutorials.com/
Bibliografia:Sin bibliografía