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Solid State Physics I26648

Centre
Faculty of Science and Technology
Degree
Double Degree in Physics and Electronic Engineering
Academic course
2024/25
Academic year
4
No. of credits
6
Languages
Spanish
Basque
Code
26648

TeachingToggle Navigation

Distribution of hours by type of teaching
Study typeHours of face-to-face teachingHours of non classroom-based work by the student
Lecture-based3654
Seminar34.5
Applied classroom-based groups2131.5

Teaching guideToggle Navigation

Description and Contextualization of the SubjectToggle Navigation

Esta asignatura tiene por objetivo familiarizar al alumno con los fenómenos físicos relacionados con la dinámica de los

electrones y de la red en un sólido, y le proporciona la preparación teórica básica para comprender la Física de la Materia

Condensada y sus múltiples aplicaciones prácticas.

Presupone un buen conocimiento de la Física Cuántica y extiende su dominio de aplicación de los átomos y moléculas a

los sólidos cristalinos.

Aquellos alumnos interesados en profundizar sus conocimientos en este campo pueden cursar además la asignatura

optativa "Física del Estado Sólodo II".

Skills/Learning outcomes of the subjectToggle Navigation

Se trabajarán especialmente las siguientes competencias (se indica entre paréntesis las correspondientes competencias

específicas de la titulación y las del Módulo M07: Física de Estado Sólido):

-Ser capaz de organizar, planificar y aprender autónomamente los conceptos fundamentales de la Física del

Estado Sólido, basándose en el estudio independiente de la bibliografía obligatoria y en la resolución de ejercicios

asignados regularmente (G001, G005, G006, M07CM02 y M07CM03)

-Comprender teóricamente los fenómenos físicos relacionados con la dinámica electrónica y de red en el sólido y conocer

los modelos teóricos más relevantes: Modelo de Drude, teorema de Bloch y teoría de bandas electrónicas, aproximación

tight-binding, aproximación armónica a las vibraciones de red y teoría de los semiconductores. (G002 y M07CM01)

-Interpretar y correlacionar los datos experimentales más importantes con los distintos modelos de dinámica electrónica

y de la red en el sólido. (G004 y M07CM01)

Theoretical and practical contentToggle Navigation

1- Introducción

Aproximación de Born-Oppenheimer. Electrones en sólidos. Partículas independientes. Bandas de energía. Metales, aislantes y semiconductores.

2- El modelo de Drude

Introducción. Conductividad dc. Efecto Hall y magnetorresistencia. Conductividad ac. Conductividad térmica y efectos termoeléctricos. Ley de Wiedemann-Franz

3- El modelo de Sommerfeld

Modelo de electrones libres. El estado base del gas de electrones. Estadística de Fermi-Dirac. Propiedades térmicas del gas de electrones. Conducción eléctrica y térmica. Emisión termoiónica

4- Redes cristalinas

Redes de Bravais. Ejemplos. Celdas primitiva, convencional y de Wigner-Seitz. Estructuras cristalinas. Ejemplos. Red recíproca: definiciones y ejemplos. Zona de Brillouin.

5- Electrones en cristales

Potencial periódico. Teorema de Bloch. Condiciones de Born-von Karman. Superficie de Fermi. Densidad de estados. Electrones casi libres: Teoría de perturbaciones. Aparición de gaps de energía. Bandas en 1D y 3D. Electrones fuertemente ligados: método LCAO. Formulación en 1D y 3D.

6- Dinámica vibracional

Aproximación armónica. Vibraciones de red. Ejemplos: Red monoatómica unidimensional. Condiciones de contorno. Red unidimensional con una base. Modos acústicos y ópticos. Red tridimensional monoatómica. Matriz dinámica. Relaciones de dispersión. Conexión con la teoría de la elasticidad. Condicionamientos de la simetría. Modos transversales y longitudinales. Ley de Dulong-Petit.

7- Teoría cuántica del cristal armónico

Cuantización. Relaciones generales. Operadores de creación y aniquilación. Energía vibracional. Distribución térmica de fonones. Calor especifico. Expresiones generales discreta y continua. Densidad de modos. Modelos de Einstein y de Debye. Temperatura de Debye.

8- Semiconductores

Propiedades generales. Estructura de bandas. Portadores en equilibrio térmico. Semiconductores intrínsecos y extrínsecos. Semiconductores inhomogéneos. La unión p-n.

MethodologyToggle Navigation

El libro de texto indicado en la bibliografía (Ashcroft y N. D. Mermin) se utilizará desde el primer día de clase y es imprescindible para poder seguir la asignatura, por lo que es muy recomendable que se disponga de él antes de empezar el curso.

Cada día se asignarán unas páginas del libro de texto para estudiar fuera del aula. Al comienzo de cada clase los alumnos podrán intervenir para exponer sus dudas y comentarios, y el profesor orientará la clase en función de estas intervenciones, aclarando los puntos difíciles y ampliando el material presentado en el libro.

Una parte de las prácticas de aula (GA) serán evaluadas como examenes parciales escritos (véase aclaraciones sobre la evaluación)

Assessment systemsToggle Navigation

  • Final Assessment System
  • Tools and qualification percentages:
    • Written test to be taken (%): 90
    • Realization of Practical Work (exercises, cases or problems) (%): 10

Ordinary Call: Orientations and DisclaimerToggle Navigation

Método de evaluación:

P= Participación alumno en prácticas de aula

E= Examen final escrito

Nota asignatura = P + E

Extraordinary Call: Orientations and DisclaimerToggle Navigation

En la convocatoria extraordinaria (junio) el examen final constituye siempre el 100% de la nota de la asignatura.

Compulsory materialsToggle Navigation

* N. W. Ashcroft y N. D. Mermin, "Solid State Physics", Saunders College Publishing 1976.

BibliographyToggle Navigation

Basic bibliography

* N. W. Ashcroft y N. D. Mermin, Solid State Physics, Saunders College Publishing 1976.

* C. Kittel, Introducción a la Física del Estado Sólido, Springer 1995.

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